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台积电、台大与MIT成功研发新半导体材料——铋！突破1nm以下工艺制程！
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TTN 谈谈网
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IBM早前才宣布了2nm工艺研发成功之后，宝座的位置还没有坐热，台积电就宣布已经取得了1nm工艺制程的重大突破！据悉，台积电连同台大以及麻省理工大学（MIT）携手研发出全新的半导体材料——铋，并号称可以大幅度的降低电阻，以及提高传输的电脑！这项新发现有助于在未来突破摩尔定律极限 （Moore's Law）。
悉知，这项研究结果是由台大电机系教授吴志毅在和台积电以及麻省理工大学研究团队携手合作，共同完成，并已经在国际期刊JNature上发表，有助于对1nm一下制成挑战。
据消息，晶圆单位面积可以容纳的晶体管数目，目前已经逼近了主流材料硅的极限，效能同时也无法在逐年提升。因此，科学界就积极的寻找代替硅的材料，并挑战1nm以下的制程。在经历了三年和合作研究之后，台大、台积电以及麻省理工大学团队终于成功地发现了新材料！
领导研究的吴志毅教授说道，掌握了铋为接触电极的关键技术之后，晶体管的效能相信有望突破目前主流的硅制程技术，并有助于突破摩尔定律极限！
资料来源：Laoyaoba
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